又一巨头闪存技术指示牌曝光，未来将发力500层以上NAND技术！

在近期举办的投资人日社区活动上，西部数据揭晓下一代闪存新科技橙色，西数声称将与合作伙伴铠侠面世162层闪存商品（BiCS6），此后两家美国公司还将发力200层以上（2XX层）闪存新科技。

目前闪存市场上176层闪存商品不太可能厂家出货，西数与铠侠162层闪存虽然螺旋式远不如176层，但西数声称将采用生物技术以缩小打印单元尺寸，进而缩小芯片尺寸。

西数与铠侠原先2022年底前开始出厂162层NAND，下一代两家美国公司还将面世200层以上（BiCS+）的闪存商品，与BiCS6远比，200层以上BiCS+每个制程的位元将增加55%，传输平均速度增加60%，写入平均速度增加15%。

BiCS+商品将先于应用于SAN教育领域，下一代西数还将面世应用于顾客教育领域的200层以上商品（BiCS-Y）。

除此之外，西数还透露，2032年之前还将陆陆续续面世300层以上、400层以上与500层以上闪存新科技。

延申读到>>半导体公司揭晓内存、闪存新科技橙色

无独有偶，另便是打印厂商半导体公司也在投资人日社区活动上揭晓了简介内存、闪存新科技橙色。

在DRAM教育领域将持续发力1β、1γ与1δ传统工艺，其中半导体公司原先2022年底前面世1β DRAM商品，将可为图形、HBM3和汽车等教育领域备有很好的性能，半导体公司还将在1γ DRAM传统工艺中引入EUV新科技。

NAND Flash方面，176层NAND闪存此后，半导体公司传统工艺节点分别为是232层、2YY、3XX与4XX。其中，半导体公司将在2022年底开始面世232层NAND商品...【读到原文】