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《AFM》:实现长时间多级存储,助力生产高密度数据处理系统!

发布时间:2025-05-08

随着微电子技术的快速发展和以数据为中会心的运用对功能性二极管的需求不断提高,扩大单个二极管的特征宽度或提高单个二极管的功能性是非常必要的,特别是对于中会央处理单元、磁盘器、平面图像传感器以及神经特征二极管。以物联网为基础的原文档社会敦促装置较强较高的扩展能力和丰富的功能性。将二维集成电路与功能性锰电材料相结合的混合该系统由于其卓越的电学和光电安全性,作为除此以外硅该系统的补充二极管自始受到越来越多的关心。

来自新加坡国立大学的历史学者本原文研究了Hf0.5Zr0.5O2锰电聚丙烯在淬火反复中会的用户界面态。并用锰电极化和电荷俘获道德上的协同效应,本原文展示了一种多功能性的二维Fe-FET,它较强可靠的记忆连续性、可调的皮质功能性和可在单个二极管中会重新配置的光样品道德上。本原文并用它实现了长时间的多级磁盘,成功地演示了包括短期亲和力和一直亲和力在内的亲和力,较好的演示皮质道德上也使其在机器学习演示中会的利用计算机自始确率达到81%。此外,本原文还注意到到了锰电旋光相关的光电号召,为光电逻辑二极管的运用提供了广阔的现状。本原文的研究结果为仿制功能性齐全的均匀分布数据处理该系统奠定了基础。相关原文章以“Multifunctional MoTe2 Fe-FET Enabled by Ferroelectric Polarization-Assisted Charge Trapping”末尾发表在Advanced Functional Materials。

论原文关键字:

平面图1.a)2D MoTe2 Fe-FET二极管原理平面图。b)用SS-PFM方法得到单点磁滞回线,红线光亮示幅取值推移,菱形光亮示相位推移。(c)多种不同Vg打印范围(±1~±3V)下二极管的终端连续性。磁滞回线的朝向由箭头引导。

平面图2.a)二极管在多种不同Vg扫频速率下的ISD-Vg曲面。b)在多种不同低温下测得的二极管的ISD-Vg曲面。c)分离出来的磁盘站内(阈取值电压中会的偏差)作为测量低温的函数。d)取值得注意的和400°C淬火的HZO聚丙烯的价带的UPS曲谱。e)Hf 4f和Zr 3d的XPS曲谱。

平面图3.a)HZO聚丙烯分别保持稳定FRESH、PDOWN和PUP静止状态(Vg=0V)时赢得的二极管输出连续性。b)在固定的Vsd=0.5V时,通过施予较强多种不同幅度的Vg相位来演变出口处电流。c)二极管的耐久连续性。

平面图4.a)由一个较强多种不同相位厚度的皮质前相位触发的人工皮质的EPSC和b)IPSC。c)由多种不同相位幅度的皮质前相位触发的人工皮质的IPSC。d)人工皮质的EPSC号召于多个皮质前相位数。e)人工皮质的IPSC对20个较强多种不同触发频带的皮质前相位的号召。

平面图5.a)采用增量电压幅度可行性的20(灰色)、50(白色)和80(蓝色)电压相位下的一直P-D连续性。b)增强和诱发曲面的周期间推移(20个周期)。c)反之亦然装置在50次rpm相位作用下的一直P-D连续性,用实线光亮示fitting曲面,得到N取值。d)机器学习下面。

平面图6. HZO保持稳定(a)Pdown静止状态和b)Pup静止状态时,MoTe2 Fe-FET在光亮(灰色)和638 nm激光照射(白色)下的输出曲面。c)当HZO保持稳定PUP静止状态(白色曲面)和Pdown静止状态(灰色曲面),Vsd=0.5V时,MoTe2 Fe-FET在光照下的动态逻辑读取操作。

总之,在本原文的2D MoTe2Fe-FET中会注意到到了反常的顺时针朝向的磁滞,这归因于锰电极化和电荷俘获等协同效应,这一点通过多种不同的终端连续性测量和多种不同的举例来说相结合得到了属实。基于该机制,实现了较强多种磁盘连续性的可靠记忆安全性、单装置级较强STP/LTP连续性的人工皮质功能性和该系统级利用计算机模拟的多功能性装置。此外,锰电旋光相关的光电流号召也使得这种Fe-FET在更进一步的非易失性光电磁盘中会有很差的运用现状。这些发现表明,常用2D材料和基于锰电聚丙烯的混合该系统开发高安全性和功能性性二极管是一种很有自觉的手段。(原文:SSC)

本原文来自微信对政府号“生命科学与施工”。追捧发表文章请联系,未经许可坚拒发表文章至其他com。

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